（原标题：俄罗斯公布EUV光刻机道路图）

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来 源 ： 施行编译自tom’shardware 。

俄罗斯科学院微结构物理参议所（通过Dmitrii Kuznetsov）公布了一项对于原土11.2纳米波长极紫外（EUV）光刻器具的长久道路图，这是对该组织旧年12月所共享信息的补充。这个新技俩从2026年运行，将使用40纳米制造本事，并蔓延至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。最新的道路图比之前的一些看起来更现实，但其可推行性仍有待解说。此外，即使该计较可推行，也可能不会用于交易目标。

最引东说念主看护的第少许是，建议的EUV系统幸免了复制阿斯麦（ASML）器具的架构。违反，该计较旨在接纳一套所有不同的本事：夹杂固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片。采用氙而非阿斯麦EUV器具中的锡滴，不错摒除对光掩膜无益的碎片，从而大大减少理会。同期，与阿斯麦的DUV器具比较，较低的复杂性旨在幸免用于先进节点的高压浸没式液体和屡次图形曝光形势。

该道路图包括三个主要阶段：

第一个系统，计较于2026-2028年推出，是一款支撑40纳米的光刻机，具有两面镜物镜、10纳米的套刻精度、高达3 x 3毫米的曝光场，以及每小时杰出5个晶圆的迷糊量。

第二阶段（2029-2032年）将引入一款28纳米（有后劲支撑14纳米）的扫描仪，使用四面镜光学系统。它将提供5纳米的套刻精度，26 x 0.5毫米的曝光场，以及每小时杰出50个晶圆的产量。

最终系统（2033-2036年）的指标是亚10纳米坐蓐，接纳六面镜设立，2纳米的套刻瞄准，以及高达26 x 2毫米的曝光场。它的谋划迷糊量杰出每小时100个晶圆。

在永诀率方面，这些器具展望将支撑从65纳米到9纳米的规模，这与2025-2027年好多咫尺和翌日关键层的条目相符。每一代皆提升了光学精度和扫描末端，同期据推断与阿斯麦的Twinscan NXE和EXE平台比较，每单元成本结构权贵镌汰。

值得预防的是，素养东说念主员宣称，使用EUV制造逾期节点有几个出东说念主料念念的公道。然则，他们从未说起使用11.2纳米波长激光所带来的复杂性（不同的镜片、不同的镜片抛光器具、不同的光学器件、不同的光源、不同的电源、抗蚀剂，这仅仅其中的一小部分），这在EUV光刻本事中是一个非行业圭表的波长。

完满的道路图

总的来说，该道路图可能综合了俄罗斯通过回避传统的EUV甩掉来达成芯片坐蓐自力餬口的计较。然则，这个计较的可行性尚不明晰，因为它将跳跃扫数行业，这少许尚未取得阐发。

这些器具的指标不是为了超大限制晶圆厂追求最大迷糊量，而是旨在让袖珍代工场以低成本接纳。通过提供一种无需浸没或锡基等离子体、清洁、高效和可膨胀的光刻系统，俄罗斯的平台也可能诱骗咫尺被根除在阿斯麦生态系统除外的海外客户。若是所有达成，该技俩可能以权贵较低的老本和运营成本，为国内和出口用途提供先进的芯片制造。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/russia-outlines-euv-litho-chipmaking-tool-roadmap-through-2037-country-eyes-replacing-duv-with-euv-but-plans-appear-unrealistic

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